# 2025年新品發(fā)布會(huì)#

日期：2025年2月11日

時(shí)間：8：30-18：30

近期我司新推出升級(jí)了HORIBA堀場(chǎng)磷酸濃度監(jiān)測(cè)儀CS-620F

無(wú)需冷卻即可實(shí)時(shí)測(cè)量高溫磷酸的磷酸濃度監(jiān)測(cè)儀。 非常適合控制半導(dǎo)體制造工藝中使用的磷酸濃度，主要是3D NAND閃存的SiN層*1 蝕刻工藝。 *1 SiN層：在硅晶片等上形成的硅和氮化合物的薄膜。

高濃度/高溫兼容 循環(huán)管路中高濃度（高達(dá)92%）、高溫（140-170℃）的磷酸無(wú)需冷卻即可直接測(cè)量，因此無(wú)需冷卻機(jī)構(gòu)或冷卻時(shí)間。 污染風(fēng)險(xiǎn)低 通過(guò)使用 PFA 作為樣品連接部分，可以降低污染風(fēng)險(xiǎn)。 為了更快的反饋控制 每3秒更新一次測(cè)量數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)測(cè)量實(shí)現(xiàn)了高速濃度反饋控制。 減少設(shè)備停機(jī)時(shí)間 使用半年一次的背景校正周期可以減少設(shè)備停機(jī)時(shí)間。